EPC EPC23102
" (3067)EPC2302 EPC氮化镓®FET鉴定报告
本报告总结了EPC2302产品的认证结果，该产品是一款100V eGaN功率晶体管，采用QFN封装。报告涵盖了EPC2302的多种应力测试，包括高温反向偏置、高温栅极偏置、高温存储、温度循环、高温高湿反向偏置、湿度敏感度等级、无偏压高度加速应力测试和静电放电敏感性测试。所有测试均符合要求，EPC2302产品已通过认证并投入生产。
EPC2302 EPC2305 Data Sheet Change (PCN240502)
EPC eGaN® FET Qualification Report EPC2305
EPC eGaN® FET EPC2302 Qualification Report
EPC2302材料成分声明
本资料为EPC2302元器件的材料成分声明，由Efficient Power Conversion (EPC)公司于2022年10月19日发布。声明中详细列出了该元器件中各成分的化学物质、CAS编号、重量百分比和总重量百分比，包括芯片、硅氧化物、硅氮化物、氮化镓、铝、氮化铝、钛、氮化钛、铜、钨、聚酰亚胺、金属层等。声明强调所提供的数据为近似值，基于工程计算，可能因技术要求和开发而随时更改，EPC可能不另行通知更新此文件。声明可能不包括最终产品中电气设备内掺杂剂和金属材料的微量信息。
EPC2071 EPC氮化镓®FET鉴定报告
本报告总结了EPC2071产品的认证结果，EPC2071满足所有认证要求，现已投入生产。报告概述了EPC2071在高温、反向偏置、栅极偏置、高温存储、温度循环、高湿度和反向偏置、湿度敏感性和静电放电敏感性等方面的测试结果。所有测试均符合JEDEC标准，EPC2071在所有测试中均表现出良好的性能和可靠性。
EPC2305 FCQFN封装材料成分声明中的氮化镓场效应晶体管
本资料为EPC2305元器件的材料成分声明，由Efficient Power Conversion (EPC)公司于2024年2月15日发布。声明中详细列出了该元器件中各成分的化学物质、CAS编号、重量百分比和总重量，包括芯片、硅氧化物、硅氮化物、氮化镓、铝、氮化铝、钛、氮化钛、铜、钨、聚酰亚胺、金属层等。声明强调所提供的数据为近似值，基于工程计算，可能因技术要求和开发而随时更改，EPC可能不另行通知更新此文件。声明可能不包括最终产品中电气设备内掺杂剂和金属材料的微量信息。
EPC2215 EPC egallium氮化物®FET鉴定报告
本报告总结了EPC2215产品的认证结果，EPC2215满足所有认证要求，现已投入生产。报告概述了EPC的eGaN FET在典型硅基功率MOSFET条件下的多种应力测试，包括高温反向偏置、高温栅极偏置、高温存储、温度循环和高温高湿反向偏置等。所有测试均未出现故障，电气参数符合数据表规范。
EPC2207 EPC egallium氮化物®FET鉴定报告
本报告总结了EPC2207产品的认证结果，EPC2207符合所有必要的认证要求，现已批准投入生产。报告概述了EPC的eGaN FET在典型硅基功率MOSFET条件下进行的多种应力测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）、高温存储（HTS）、温度循环（TC）和高温高湿度反向偏置（H3TRB）等。所有测试均未出现故障，电气参数符合数据表规范。
EPC氮化镓®FET认证报告EPC2218
本报告总结了EPC2218产品的认证结果，EPC2218满足所有认证要求，现已投入生产。报告概述了EPC的eGaN FET在典型硅基功率MOSFET条件下的多种应力测试，包括高温反向偏置、高温栅极偏置、高温存储、温度循环、高温高湿反向偏置、湿度敏感度等级和静电放电敏感度测试。所有测试均未发现故障，产品符合最新JEDEC标准。
EPC2218 EPC egallium氮化物®FET鉴定报告
本报告总结了EPC2218产品的认证结果，EPC2218符合所有认证要求，现已投入生产。报告概述了EPC的eGaN FET在典型硅基功率MOSFET条件下进行的多种应力测试，包括高温反向偏置、高温栅极偏置、高温存储、温度循环、高温高湿反向偏置和湿度敏感度等级测试。所有测试均未出现故障，产品性能符合数据表规范。
EPC23102 – ePower™ Stage IC
EPC23102 – ePower™Stage IC VIN , 100 V ILoad , 35 A DATASHEET
EPC23102 – ePower™ Stage IC, VIN 100 V, ILoad 35 A
EPC23102 – ePower™ Stage IC eGaN® FET DATASHEET
EPC23102 – V-IN,100 V, I-Load,35 A ePower™ Stage IC DATASHEET
EPC23B EPC cores
EPC23101 – ePower™ Chipset eGaN® FET DATASHEET
EPC23101 – ePower™ Chipset
EPC2302的热模型
本文档详细介绍了EPC2302器件的热模型，包括其在1W功率损耗下的热模拟结果。文档中包含了稳态和瞬态热模拟得到的RΘJB和RΘJC值，以及相应的ZΘJB和ZΘJC的R-C热模型参数。此外，还提供了低板温度和低壳温度的参考信息。
EPC2308的热模型
本文档详细介绍了EPC2308器件的热模型，包括其在1W功率损耗下的热模拟结果。通过有限元分析（FEA）模拟，获得了RΘJB和RΘJC的稳态值，以及ZΘJB和ZΘJC的瞬态值。此外，还提供了R-C热模型的参数，包括Rth和Cth值，以及Tlow board和Tlow case的温度。
Thermal Model of EPC2029, EPC2030, EPC2031, EPC2032, EPC2033, EPC2234, EPC2034(C)
EPC90147_原理图：EPC23102评估板
这份资料主要涉及两种电子元器件的电路图和相关信息。第一种是5V至12V的线性电源转换电路，使用了MCP1703T-5002E/MC稳压器和一系列电容、电阻等元件。第二种是具有极性转换和旁路功能的通用死区电路，使用了多个输入和输出引脚，以及相应的控制元件。资料中包含了电路图、元件清单和部分技术参数。
EPC9176 B5345 Rev. 1.0 3-phase motor drive board using EPC23102 power stage
3-phase motor drive board using EPC23101 power stage
使用EPC2302功率级的3相电机驱动板
这份资料详细介绍了EPC9194 B5469高效能电源模块的设计和功能。资料中包含了电源模块的电路图、元件清单、连接方式以及相关参数。主要内容包括电源模块的输入输出接口、控制接口、保护功能、温度传感等。此外，还提供了电源模块的安装和使用说明。
使用4x EPC2302功率级的3相电机驱动板
这份资料详细介绍了EPC9186系列高效能电机驱动解决方案的电路设计。内容包括电源管理、电机控制接口、电流和电压检测、温度传感以及保护电路等。资料涵盖了从DC输入到电机连接的整个电路设计，并提供了详细的元件布局和参数说明。
开发板EPC90147快速入门指南:100 V半桥，带栅极驱动，使用EPC23102
本资料为EPC90147开发板的快速入门指南，介绍了该开发板的功能、配置和使用方法。EPC90147是一款100V最大电压的半桥开发板，集成了EPC23102 ePower™ FET，用于简化EPC23102的评估过程。指南详细说明了如何设置和操作该开发板，包括单输入和双输入模式、死区时间设置、旁路配置以及如何将其配置为降压或升压转换器。此外，还提供了测量考虑、热管理和实验验证的相关信息。
EPC9176演示板快速入门指南；使用EPC23102 ePower™Stage IC的20 Arms、3相BLDC电机驱动逆变器
EPC9176演示板是一款基于EPC23102 ePower Stage IC的3相BLDC电机驱动逆变器板，具有低RDS(on)、高电压和输出电流等特点。该板集成了门驱动器、辅助电源、电压和温度感应、精确电流感应和保护功能，支持多种控制器，适用于电机驱动逆变器或DC-DC转换器。主要特点包括宽输入电压范围、低失真开关、高精度电流和电压感应、温度监测和保护功能。
开发板EPC90147快速入门指南
本资料为EPC90147开发板快速入门指南，介绍了该开发板的性能、配置和使用方法。开发板适用于100V半桥配置，集成了EPC23102集成ePower™ FET，支持单输入和双输入PWM信号输入，并包含死区时间生成电路。指南详细说明了如何设置和操作开发板作为降压或升压转换器，包括测量考虑、热管理和实验验证。
开发板EPC90152快速入门指南:100 V半桥，带栅极驱动，使用EPC23104
本指南介绍了EPC90152开发板的快速启动过程，包括作为降压或升压转换器的配置，用于评估EPC23104集成ePower™阶段的性能。指南详细说明了输入模式选择、单/双PWM信号输入设置、死区时间设置、旁路设置以及如何将开发板配置为降压或升压转换器。此外，还提供了测量考虑、热管理和实验验证的相关信息。
开发板EPC90151快速入门指南:100 V半桥，带栅极驱动，使用EPC23103
本资料为EPC90151开发板快速入门指南，介绍了如何使用该开发板评估EPC23103集成ePower™级联的半桥栅极驱动器。指南详细说明了如何设置和配置开发板作为降压或升压转换器，包括单输入和双输入PWM信号输入设置、死区时间设置和旁路设置。此外，还提供了测量考虑、热管理和实验验证的相关信息。
EPC90148开发板快速入门指南：150 V半桥，带栅极驱动，使用EPC2308
EPC90148是一款150V半桥开发板，集成了EPC2308 eGaN®场效应晶体管和NCP51820AMNTWG栅极驱动器。该板支持单输入和双输入PWM信号输入，可配置为降压或升压转换器。资料详细介绍了板的设置、操作步骤、测量考虑因素和热管理，包括如何连接负载、测量电压、安装散热器和热界面材料。此外，还提供了效率、功率损耗和热性能的测试结果。
EPC交叉引用搜索快速入门指南
EPC与DiscoverEE合作推出EPC GaN Power Bench工具，提供基于超过20,000个MOSFET的数据库，方便设计师和采购人员查找替代器件。工具基于实际损耗计算，提供参数比较和损耗分析，支持生成永久链接分享结果。
EPC9177小面积、扁平、同步降压转换器快速入门指南：采用针对计算电源和USB-PD优化的EPC23102 ePower™级
EPC9177是一款基于EPC23102 eGaN® IC的数字控制、紧凑型同步降压转换器评估板。该板采用100V额定电压、6.6mΩ RDS(on)的EPC23102 eGaN IC，工作频率为720kHz，输入电压范围为24V至48V，可提供高达20A的负载电流。该板具有以下特点：采用eGaN IC技术，集成半桥ePower™ Stage；简单紧凑的布局，尺寸为21x13mm；优化工作频率为720kHz；配置低矮电感器，高度仅为3mm；预装散热器和散热片；数字控制，可实现高级控制技术。
开发板EPC90150快速入门指南:200 V半桥，带栅极驱动，使用EPC2307
EPC90150是一款基于200V EPC2307 eGaN®场效应晶体管的半桥开发板，旨在简化EPC2307的评估过程。该板包含所有关键组件，支持优化的开关性能，并提供了各种探针点以方便波形测量和效率计算。资料详细介绍了如何将开发板配置为降压或升压转换器，并提供了单输入和双输入PWM信号输入设置、死区时间设置和旁路设置等操作指南。此外，还涵盖了测量考虑、特殊功能、热管理、电气性能和热性能等方面的内容。
如何安装EPC的KiCad库快速入门指南
本文档为EPC KiCad库的安装指南，适用于KiCad V7版本。指南详细介绍了如何解压下载的库文件、设置环境变量、添加库到KiCad以及使用EPC库进行设计。步骤包括创建环境变量、管理符号库和足迹库，并提供了使用EPC库的示例。
EPC晶圆销售手册
EPC公司提供增强型氮化镓（GaN）器件的晶圆销售服务，包括不同尺寸和类型的晶圆，如带焊盘和不带焊盘的晶圆。服务还包括晶圆减薄、背面金属化等。EPC提供多种GaN FET和IC产品，涵盖不同电压和电流规格，适用于高效能转换应用。
Thermal Model of EPC2036 Efficient Power Conversion Corporation
EPC看好氮化镓板块
EPC对GaN行业持乐观态度，尽管面临地缘政治挑战和化合物半导体行业的变化。EPC的GaN工艺不依赖镓，而是使用TMGa作为制造GaN的原料，TMGa不在中国的出口限制清单上。EPC正在努力从更多来源确保TMGa的供应，以增加供应链的稳定性。Infineon收购GaN Systems的计划可能重塑供应链，但EPC仍致力于其技术成熟和行业标准的建立。GaN的市场份额预计将在2028年增长，尽管其市场份额相对较小，但EPC认为GaN具有巨大的潜力。
EPC晶圆销售
EPC公司向开发合作伙伴提供增强型氮化镓（GaN）器件的晶圆形式采购选项，以简化集成。服务包括凸块晶圆、无凸块晶圆以及额外的服务，如晶圆减薄、背面金属化等。产品涵盖多种电压和电流规格的eGaN® FETs和ICs，适用于高效能转换应用。
EPC – 功率转换技术领导者
本文主要介绍了EPC公司在GaN功率转换技术领域的领导地位。EPC致力于开发高性能、低成本GaN功率转换器件，相比硅基MOSFET和PMIC，GaN具有体积小、速度快、效率高、成本低、辐射硬化、可靠性高和易于集成等优点。EPC在GaN IC和离散器件市场占据领先地位，并专注于低于400V的市场。公司拥有超过100种IC和离散晶体管可供现货交付，并拥有成熟的供应链。EPC的市场规模预计将从2022年的6.46亿美元增长到2028年的35亿美元。
EPC Altium Libary PcbLib & SchLib & IntLib
EPC2045和EPC2088数据表更改（PCN241201）
EPC公司发布产品/工艺变更通知，涉及EPC2045和EPC2088两款产品数据表更新。变更内容包括添加新的晶圆标记，不影响产品形式、尺寸或功能。此次变更自2024年12月1日起生效，影响生产批次编号大于等于E2549M_C9C17045.1-M8和E3631M_C2215767.12的批次。
EPC2001C产品/工艺变更通知（PCN）
EPC宣布MSEC工厂已通过EPC Generation 4器件的晶圆探针测试资格认证。MSEC现在被批准为附录I中列出的EPC Generation 4销售部件号的晶圆探针测试站点。此次变更不影响制造技术或封装尺寸，也不影响产品规格书中定义的产品形式、尺寸和功能。MSEC将从2020年7月4日或之后（日期代码D2028或以后）开始生产附录I中的EPC产品。在过渡期间，客户可能从任何批准的EPC组装站点接收货物。
EPC2001C产品/工艺变更通知单
EPC宣布MSEC获得胶带和卷盘组装的资格，其AEC-Q101认证的设备已在MSEC进行测试和卷盘封装。MSEC被批准为附录I中列出的销售产品的后端胶带和卷盘组装地点。此变更不会影响制造技术或封装尺寸，也不会影响产品的形式、尺寸和功能。MSEC将从2018年6月27日起（日期代码D1822或以后）开始生产EPC产品。在过渡期间，客户可能从任何批准的EPC组装地点收到货物。
EPC2007C产品/工艺变更通知
EPC宣布MSEC工厂获得胶带和卷盘组装资格，将开始生产附录I中列出的销售产品。此次变更不影响产品形式、尺寸或功能，且MSEC工厂已通过质量可靠性测试。客户在过渡期间可能从任何批准的EPC组装工厂接收货物。
EPC2218材料和工艺变更（PCN220401）
EPC发布产品/工艺变更通知（PCN220401），宣布对EPC2218器件的制造工艺进行改进，以提高过程控制和可制造性。此次变更不影响器件的形状、尺寸或功能，但数据表规格有所调整。变更将于日期代码D2225或之后的器件生效。
Electronic Mall
Integrated Circuits
Discrete Components
Connectors & Structural Components
Assembly UnitModules & Accessories
Power Supplies & Power Modules
Electronic Materials
Instrumentation & Test Kit
Electrical Tools & Materials
Mechatronics
Processing & Customization
